Toshiba Memory Europe представила второе поколение флэш-памяти NAND для встраиваемых решений, которое отличается повышенной ёмкостью и производительностью[1].
Благодаря высокой скорости передачи данных новые продукты Serial Interface NAND совместимы с популярным интерфейсом SPI и подходят для применения в широком спектре потребительских, промышленных и коммуникационных решений. Отгрузка тестовых образцов микросхем начинается сегодня, а массовое производство запланировано на октябрь этого года.
По мере того, как уменьшаются габариты устройств Интернета вещей и сферы коммуникаций, растёт спрос на флэш-память в миниатюрных корпусах с малым количеством контактов, которая может обеспечить высокую скорость чтения и записи данных. Благодаря совместимости с широко распространённым интерфейсом SPI, продукты линейки Serial Interface NAND могут использоваться в качестве флэш-памяти SLC NAND с малым количеством контактов и отличаются высокой ёмкостью и компактными размерами.
Чтобы обеспечить высокую скорость передачи данных, новые продукты Serial Interface NAND второго поколения отличаются увеличенной (по сравнению с первым поколением) производительностью[1], включая поддержку рабочей частоты 133 МГц и режима program x4. Помимо этого, чтобы удовлетворить спрос на большие объёмы памяти, в новую линейку входит решение ёмкостью 8 Гбит[2] (1 ГБ[2]). Все микросхемы выпускаются в 8-контактных корпусах типоразмера WSON[3] габаритами 6 x 8 мм.
Основные особенности
- Ёмкость 1 – 8 Гбит
- Размеры страницы памяти 2 Кбит (1/2 Гбит) и 4 Кбит (4/8 Gb) для более эффективного чтения/записи данных ОС
- Режимы x4 Program и Read для повышения скорости доступа и производительности при программировании
- Поддержка ECC и защиты данных выявляет инвертирование разрядов и обеспечивает защиту выделенных блоков
- Функция Parameter Page для получения подробных данных об устройстве
«Сложность встраиваемых устройств и требования к их габаритам постоянно растут, поэтому разработчикам требуются гибкость и производительность, которые может обеспечить новая флэш-память Serial Interface NAND, — отметил Аксель Стоерманн (Axel Stoermann), вице-президент Toshiba Memory Europe. — Выбирая продукцию Toshiba, компании-создателя флэш-памяти NAND и лидера в сфере 3D-флэш-памяти, они выбирают инновационные технологии, компактные размеры и надёжность, от которых в итоге выигрывают и конечные потребители».
Примечания:
[1] По сравнению с продуктами Serial Interface NAND производства Toshiba Memory первого поколения. Данные исследования Toshiba Memory.
[2] Ёмкость продукта определяется на основе ёмкости установленных в нём микросхем памяти, а не доступного конечным пользователям объёма памяти для хранения данных. Доступная пользователю реальная ёмкость будет ниже указанной из-за наличия областей служебных данных, форматирования, поврежденных блоков и прочих ограничивающих факторов, также на ёмкость влияют хост-устройство и сценарии его применения. Для получения более подробной информации, пожалуйста, ознакомьтесь с техническими характеристиками конкретного продукта.
[3] Корпус WSON (Very-Very thin Small Outline No Lead Package)
